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AI算力需求的爆炸式增长，正将半导体封装材料推向一场深切的代际变革。在摩尔定律物理极限日益濒临的配景下，以玻璃通孔（TGV）手艺为中枢的玻璃基板，正从实践室走向边界化量产，有望取代传统硅基与有机基板，成为下一代先进封装的主流载体。

西部证券在5月17日发布的行业深度汇报中给以玻璃基板行业\"超配\"评级，瞻望2028年各人先进封装TGV市集边界将接近80亿好意思元，2030年渗入率提高至50%，市集边界有望进一步扩大。

英特尔、、台积电等各人半导体巨头已接踵将玻璃基板纳入中枢手艺门道图。英特尔明确将其列为2026至2030年封装手艺门道图的中枢撑捏，联想杀青10倍以上互连密度提高；三星电机已于2026年4月初始向苹果供应半导体玻璃基板样品，筹谋2027年后量产；台积电则将玻璃基板当作CoWoS封装手艺下一代迭代的中枢标的。巨头的集体背书，象征着产业界已形成\"从硅到玻璃\"的手艺共鸣。

传统决策涉及物理极限，玻璃基板（TGV）填补空缺

AI大模子锤真金不怕火芯片对算力基础顺序的需求捏续攀升，传统封装基板的固有残障在大尺寸、高频场景下愈发突显。

有机基板的热彭胀通盘是硅的六至七倍，当封装尺寸达到AI芯片级别时，温差激勉的翘曲问题可能导致焊球开裂乃至芯片失效。与此同期，有机基板的高介电损耗使超高频信号在传输流程中严重衰减，迫使超负荷运转，形成\"信号劣化—功耗高涨—散热恶化\"的恶性轮回。

台积电CoWoS封装通过引入硅中介层部分措置了上述问题，但硅中介层需占用晶圆产能与洁净室资源，一块大型硅中介层的价钱特出100好意思元，仅中介层一项就可能占到总封装老本的一半以上，老本瓶颈制约了其大边界奉行。

玻璃基板由此应时而生。玻璃的相对介电常数约为3.8，远低于硅材料的11.7；损耗因子较硅低2至3个数目级，可使信号传输速度提高3.5倍、带宽密度提高3倍、能耗裁汰50%。此外，玻璃具备\"可调热彭胀通盘\"上风，通过接纳特定招牌，B体育世界杯中国官网首页可精确匹配硅芯片，有用适度封装翘曲。

TGV手艺：从实践室到量产的要道最先

玻璃通孔（TGV）手艺的中枢，在于在超薄玻璃基板上制作微米级垂直导电通孔，为芯片间构建最短的电信号传输旅途。该手艺主意由德国迈克尔博士于2010年头次提倡，2023年由率先蔓延至封装基板边界。

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TGV的中枢工艺壁垒相聚于两个模范：一是在脆性玻璃上高质料形成崇高宽比通孔，二是对通孔进行可靠的金属化填充。以前，这两个模范的良率与效果长期无法餍足量产条款，使TGV停留在实践室阶段。

比年来，各人产业链的捏续研发干预已买通要道瓶颈。在成孔工艺方面，国内企业沃格光电于2024年杀青最小3微米孔径、150:1崇高宽比的加工智商；2026年，华日激光工业级成就可杀青孔径小于3微米、百万孔一致性大于95%。在金属化工艺方面，上海天承科技自主研发的电镀手艺已杀青孔径20至50微米通孔的十足填充且无空腹。在高密度布线方面，2025年芯德半导体突破TGV超细澄澈再布线层，必一体育APP杀青线宽/线距不特出2微米，餍足高带宽存储器集成需求。

面前，晶圆级TGV基板老本已较传统TSV手艺下跌约30%。跟着从晶圆级向面板级升级、良率提高至85%以上，以及产业链国产化协同鼓动，TGV单元老本有望进入快速下跌通说念，渐渐从高端AI、HBM场景向残害电子、车载电子等更大边界市集渗入。

三大需求场景驱动，市集空间宽阔

AI算力与HPC是TGV最大的基本盘。台积电CoWoS-S手艺对转接板的需求面积从2017年的1200浅显毫米快速提高至2026年的2700浅显毫米，传统硅中介层在大尺寸下良率暴跌、老本指数级高涨，而玻璃基板可罢休杀青大尺寸制备并保捏极低翘曲度。西部证券瞻望，2028年各人先进封装TGV市集渗入率将达30%，市集边界接近80亿好意思元。

HBM高带宽存储组成第二增长弧线。HBM4的堆叠层数已达12至16层，异日HBM6将突破24层，有机基板的热彭胀通盘不匹配导致的翘曲将告成变成良率赔本。三星结合Chemtronics拓荒71×71毫米玻璃中介层，期骗于GPU与HBM互连，2028年有望量产；SK海力士在HBM4门道图中明确说起将探索秉承玻璃基板手艺，并筹谋2026年第三季度量产16层48GB HBM4器件。

光通讯与CPO光电共封装是率先落地的细分场景。1.6T/3.2T光模块的电信号速度已突破100Gbps PAM4，传统有机基板的介电损耗已无法餍足需求。国内沃格光电旗下通格微的1.6T光模块玻璃基载板关联产物已完成小批量送样；京东方于BOE IPC 2024认真发布面向半导体封装的玻璃基脚板级封装载板，成为大陆首家从袒出面板转向先进封装的业务部门。

各人竞争步地：好意思欧日主导，国内加快突破

面前TGV行业呈\"金字塔\"竞争步地，合座处于从研发考证向边界化量产过渡的要道拐点。

国际方面，康宁凭借熔融制程专利手艺，可杀青TGV孔径20至100微米、纵横比10:1；英特尔秉承激光改质加化学蚀刻复合工艺，通孔深径比可达100:1、最小孔径仅5微米，较行业现存水平提高30%以上；三星秉承F0PLP手艺，使用510×515毫米玻璃面板，通孔位置精度优于±2微米，HBM4全面秉承TGV。

国内方面，产业链全链条布局已初步形成。上游材料端，戈碧迦的半导体玻璃基板产物已向国内多家知名半导体厂商送样，载板产物已通过多家厂商考证并得到订单。

中游制造端，沃格光电已具备TGV玻璃基板量产智商和年产10万浅显米的智能化产线，可杀青深宽比100:1、最小孔径5微米；云天半导体率先杀青国内边界化量产TGV手艺，深宽比突破100:1；京东方自2024年启动玻璃基板中试线容颜，适度2025年6月底已杀青成就进场。成就端，帝尔激光于2026年1月完成面板级玻璃基板通孔成就首批出货，蜿蜒国际厂商在该边界的手艺与市集旁边。

三条旅途布局

西部证券建议投资者沿三条干线布局。

干线一为全链条布局的行业龙头，优先存眷具备特种玻璃基材量产智商、TGV全链条手艺布局、下搭客户生态完善的厂商。

干线二为中枢工艺突破的成就厂商，存眷在TGV通孔制备、金属化中枢工艺上杀青突破、已进入头部供应链的厂商。

干线三为卑劣期骗落地的龙头厂商，存眷率先布局TGV手艺期骗、杀青产物质能升级的先进封测与光模块龙头，关联企业包括通富微电、长电科技、新易盛等。